Integrierte mikroelektronische Schaltungen
Betreuer: M.Sc. Feim Ridvan Rasim
Vortragender: Mehmet Eker Ünsal
Problemstellung: In integrierten mikroelektronischen Schaltungen gelten der Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOS-FET) sowie der Bipolartransistor (BJT) als die wichtigsten Bauelemente. Die hervorragenden elektrischen Eigenschaften der Transistoren, kombiniert mit der Möglichkeit extrem viele Transistoren auf einer geringen Fläche unterzubringen, führt dazu, dass diese Transistoren mittlerweile in so gut wie jeder Schaltung vorhanden sind. Um moderne Schaltungen verstehen zu können, ist es daher wichtig diese Bauelemente sehr gut zu verstehen.
Problemlösung: Ziel der Arbeit ist, die Grundbauelemente (Transistormodelle) von integrierten mikroelektronischen Schaltungen zu untersuchen. Dazu sollen Aufbau und Eigenschaften der wesentlichen Grundstrukturen dargestellt werden.
Durchführung: Die Ziele sind wie folgt beschrieben:
- Die Anwendung mikroelektronischen Schaltungen beschreiben
- Die grundlegenden Funktionsweise mikroelektronischen Schaltungen erläutern
- Arbeitsbereiche, Skalierungseffekte, Modelle der Transistoren erklären
Termin: 17.07.2017 15:00 Uhr