Allgemeine Hinweise
Vorlesungen des LZS werden hybird angeboten und auch zum Herunterladen zur Verfügung gestellt, die Übungen finden in Präsenz statt (Angaben und Lösungen werden online zur Verfügung gestellt). Die Dateien sind urheberrechtlich geschützt und dürfen nicht an Dritte weitergeben werden. Mit dem Download einer Datei stimmen sie dieser Regelung zu. Die Zugangsdaten zum Download erhalten sie rechtzeitig zum Vorlesungsbeginn und nach Anmeldung bei StudON.
Die Vorlesungen zu EIS I, ZUSY und DfT werden als mp4-Datei zur Verfügung gestellt und können mit jedem gängigen Videoplayer abgespielt werden. In einigen Browsern (z.B. Firefox) ist es auch möglich diese direkt abzuspielen. Zum jeweiligen Video gibt es zusätzlich ein Handout als PDF. Die Dateien stehen immer BIS ZUM NÄCHSTEN Vorlesungstermin zur Verfügung.Die Aufgabenstellungen zusammen mit den Lösungen werden vor der jeweiligen Vorlesung als PDF zur Verfügung gestellt und sind selbständig zu lösen. Der offiziellen Übungstermin findet in Präsenz statt. Hier können Fragen gestellt werden, die sofort oder beim nächsten Termin beantwortet werden. Fragen WERDEN von den Studenten schriftlich per email vorab formuliert und zugesendet. Die Fragen und Lösungen werden dann auf der Webseite im Nachgang zusammengefasst, und stehen für die Dauer der Vorlesungszeit bis zu den schriftlichen Prüfungen zur Verfügung. Fragen können in Ausnahmefällen auch während der Präsenzveranstaltung an den jeweiligen Kursadministrator oder Kurstutor gestellt werden.
Downloads zur Vorlesung EIS I
- Kapitel 1.1 Introduction
- Kapitel 1.2.1 Review Digital Logic
- Kapitel 1.2.2 Zusatz Low Active RS-Latch
- Kapitel 1.2.3 Bemerkungen, Time and Power
- Kapitel 1.3 Digital Integrated Circuit Design
- Kapitel 1.4 Computer Aided Design of Digital Circuits
- Kapitel 1.5 The Challenges Ahead
- Kapitel 2.1 MOS Transistors
- Kapitel 2.2 Structure and Operation of the MOS Transistor
- Kapitel 2.3 Threshold Voltage of the MOS Transistor
- Kapitel 2.4 First Order Current Voltage Characteristics
- Kapitel 2.5 Derivation of Velocity Saturated Current Equations
- Kapitel 2.6 Subthreshold Conduction
- Kapitel 2.7 Capacitances of the MOS Transistor
- Kapitel 3.1 Fabrication Layout Simulation
- Kapitel 3.2 IC Fabrication Technology
- Kapitel 3.3 Layout Basics
- Kapitel 3.4 Modeling the MOS Transistor for Circuit Simulation
- Kapitel 4.1 MOS Inverter Circuits
- Kapitel 4.2 Voltage Transfer Characteristics
- Kapitel 4.3 Noise Margin Definitions
- Kapitel 4.4 Resistive Load Inverter Design
- Kapitel 4.5 NMOS Transistor as Load Devices
- Kapitel 4.6 Complementary MOS Inverters
- Kapitel 4.7 Pseudo NMOS Inverters
- Kapitel 4.8 Sizing Inverters
- Kapitel 4.9 Tristate Inverters
- Kapitel 5.1 Static MOS Gate Circuits
- Kapitel 5.2 CMOS Gate Circuits
- Kapitel 5.3 Complex CMOS Gate Circuits
- Kapitel 5.4 XOR and XNOR
- Kapitel 5.5 Multiplexer
- Kapitel 5.6 FlipFlop
- Kapitel 5.7 D FlipFlop
- Handout zu Kapitel 1.1 bis 1.2.2
- Handout zu Kapitel 1.2.3 bis 1.5
- Handout zu Kapitel 2.1 bis 2.3
- Handout zu Kapitel 2.4 bis 2.6
- Handout zu Kapitel 2.7
- Handout zu Kapitel 3.1 bis 3.4
- Handout zu Kapitel 4.1 bis 4.4
- Handout zu Kapitel 4.5 bis 4.9
- Handout zu Kapitel 5.1 bis 5.2
- Handout zu Kapitel 5.3 bis 5.7
Downloads zur Vorlesung DfT
Downloads zur Vorlesung ZUSY
General information
Lectures of the LZS are offered hybird and also made available for download, exercises take place in presence (details and solutions are made available online). The files are protected by copyright and may not be passed on to third parties. By downloading a file, you agree to this regulation. You will receive the access data for downloading in good time at the start of lectures and after registering with StudON.
The lectures on EIS I, ZUSY and DfT are provided as mp4 files and can be played with any common video player. In some browsers (e.g. Firefox) it is also possible to play them directly. A handout is also available as a PDF for each video. The files are always available UNTIL THE NEXT lecture date.The assignments together with the solutions are made available as a PDF before the respective lecture and are to be solved independently. The official exercise date takes place in presence. Questions can be asked here, which will be answered immediately or at the next appointment. Questions WILL be formulated by the students in writing by email in advance and sent. The questions and solutions are then summarised on the website afterwards and are available for the duration of the lecture period until the written examinations. In exceptional cases, questions can also be submitted to the respective course administrator or course tutor during the classroom session.
Downloads to Lecture Design of Integrated Circuits I
- Kapitel 1.1 Introduction
- Kapitel 1.2.1 Review Digital Logic
- Kapitel 1.2.2 Zusatz Low Active RS-Latch
- Kapitel 1.2.3 Bemerkungen, Time and Power
- Kapitel 1.3 Digital Integrated Circuit Design
- Kapitel 1.4 Computer Aided Design of Digital Circuits
- Kapitel 1.5 The Challenges Ahead
- Kapitel 2.1 MOS Transistors
- Kapitel 2.2 Structure and Operation of the MOS Transistor
- Kapitel 2.3 Threshold Voltage of the MOS Transistor
- Kapitel 2.4 First Order Current Voltage Characteristics
- Kapitel 2.5 Derivation of Velocity Saturated Current Equations
- Kapitel 2.6 Subthreshold Conduction
- Kapitel 2.7 Capacitances of the MOS Transistor
- Kapitel 3.1 Fabrication Layout Simulation
- Kapitel 3.2 IC Fabrication Technology
- Kapitel 3.3 Layout Basics
- Kapitel 3.4 Modeling the MOS Transistor for Circuit Simulation
- Kapitel 4.1 MOS Inverter Circuits
- Kapitel 4.2 Voltage Transfer Characteristics
- Kapitel 4.3 Noise Margin Definitions
- Kapitel 4.4 Resistive Load Inverter Design
- Kapitel 4.5 NMOS Transistor as Load Devices
- Kapitel 4.6 Complementary MOS Inverters
- Kapitel 4.7 Pseudo NMOS Inverters
- Kapitel 4.8 Sizing Inverters
- Kapitel 4.9 Tristate Inverters
- Kapitel 5.1 Static MOS Gate Circuits
- Kapitel 5.2 CMOS Gate Circuits
- Kapitel 5.3 Complex CMOS Gate Circuits
- Kapitel 5.4 XOR and XNOR
- Kapitel 5.5 Multiplexer
- Kapitel 5.6 FlipFlop
- Kapitel 5.7 D FlipFlop
- Kapitel 1.1 Introduction
- Kapitel 1.2.1 Review Digital Logic
- Kapitel 1.2.2 Zusatz Low Active RS-Latch
- Kapitel 1.2.3 Bemerkungen Time and Power
- Kapitel 1.3 Digital Integrated Circuit Design
- Kapitel 1.4 Computer Aided Design of Digital Circuits
- Kapitel 1.5 The Challenges Ahead
- Kapitel 2.1 MOS Transistors
- Kapitel 2.2 Structure and Operation of the MOS Transistor
- Kapitel 2.3 Threshold Voltage of the MOS Transistor
- Kapitel 2.4 First Order Current Voltage Characteristics
- Kapitel 2.5 Derivation of Velocity Saturated Current Equations
- Kapitel 2.6 Subthreshold Conduction
- Kapitel 2.7 Capacitances of the MOS Transistor
- Kapitel 3.1 Fabrication Layout Simulation
- Kapitel 3.2 IC Fabrication Technology
- Kapitel 3.3 Layout Basics
- Kapitel 3.4 Modeling the MOS Transistor for Circuit Simulation
- Kapitel 4.1 MOS Inverter Circuits
- Kapitel 4.2 Voltage Transfer Characteristics
- Kapitel 4.3 Noise Margin Definitions
- Kapitel 4.4 Resistive Load Inverter Design
- Kapitel 4.5 NMOS Transistor as Load Devices
- Kapitel 4.6 Complementary MOS Inverters
- Kapitel 4.7 Pseudo NMOS Inverters
- Kapitel 4.8 Sizing Inverters
- Kapitel 4.9 Tristate Inverters
- Kapitel 5.1 Static MOS Gate Circuits
- Kapitel 5.2 CMOS Gate Circuits
- Kapitel 5.3 Complex CMOS Gate Circuits
- Kapitel 5.4 XOR and XNOR
- Kapitel 5.5 Multiplexer
- Kapitel 5.6 FlipFlop
- Kapitel 5.7 D FlipFlop
- Handout for Chapter 1 to 1.2.2
- Handout for Chapter 1.2.3 to 1.5
- Handout for Chapterl 2.1 to 2.3
- Handout for Chapter 2.4 bitos 2.6
- Handout for Chapter 2.7
- Handout for Chapter 3.1 to 3.4
- Handout for Chapter 4.1 to 4.4
- Handout for Chapter 4.5 to 4.9
- Handout for Chapter 5.1 to 5.2
- Handout for Chapter 5.3 to 5.7
- Useful Parameters and Constants
- Exercise 1 (Indication)
- Exercise 1 (Solution)
- Exercise 2 (Indication)
- Exercise 2 (Solution)
- Exercise 3 (Indication)
- Exercise 3 (Solution)
- Exercise 4 (Indication)
- Exercise 4 (Solution)
- Exercise 5 (Indication)
- Exercise 5 (Solution)
- Exercise 6 (Indication)
- Exercise 6 (Solution)
- Exercise 7 (Indication)
- Exercise 7 (Solution)