Spice Model Parameter für MOSFET
Betreuer: M.Sc. Feim Ridvan Rasim
Vortragender: Yajing Cao
Problemstellung: Die Simulation elektrischer Schaltungen mit Hilfe von SPICE ist Stand der Technik. Sie stellt eine kostengünstige Entwicklungshilfe für den Entwurf und die Validation von Schaltungen und Systemen dar. Stehen für das Modell eines Bauteils die Parametersätze zur Verfügung, müssen diese noch einer Plausibilitätsüberprüfung unterzogen werden. Dazu müssen geeignete Teststrukturen verwendet werden.
Problemlösung: Die im Internet gefundenen Daten für eine verwendete Technologie sollen mit geeigneten Teststrukturen per Simulation in SPICE überprüft werden.
Durchführung: Es sollen die Parametersätze für das SPICE Modell (LEVEL 1, BSIM3) für PMOS und NMOS Transistoren in 0,18µm und 0,13µm Technologie validiert werden. Dazu sind geeignete Teststrukturen in SPICE aufzubauen, mit deren Hilfe wesentliche Parameter extrahiert werden können.
- Zusammenstellung und Erläuterung der Symbole und Werte der Modelle
- Aufbau von geeigneten Teststrukturen und Extraktion wesentlicher Parameter
- Dokumentation und Diskussion der Ergebnisse und Extraktionsstrategie
Termin: 17.01.2017 13:00 Uhr